由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。该成果18日在线发表于《科学》杂志。硒化铟被誉为“黄金半导体”。但长期以来，硒化铟的大面积、高质量制备未能实现，制约着该材料走向大规模集成应用，成为国际半导体领域的一大技术挑战。“要制备高质量、性能好的硒化铟，很关键的一步就是要在制备过程中保持硒原子和铟原子数量严格达到1:1的比例。”北大物理学院凝聚态物理与材料物理研究所所长刘开辉说。传统的制备方法，通常利用开放容器加热硒和铟，但因其“蒸发”速率不同，无法确保二者原子数量达到最优比例，致使制备出的晶体质量不高。