9月28日、先導科技集団傘下の先導芯光電子科技（武漢）有限公司（以下「先導芯光」）のウェハ工場で、生産ラインが正式に開通した。同工場は、同集団が120億元を投じて建設するハイエンド化合物半導体材料・チップ産業化拠点の中核製造施設である。生産ラインの開通により、同拠点は建設段階からプロセス認証および製品導入段階へ移行した。先導芯光は、4/6インチのリン化インジウム（InP）と6/8インチのガリウムヒ素（GaAs）という2種類の大口径光半導体チッププラットフォームを整備している。InPラインは光通信の中核リンクをターゲットとし、レーザー、変調器、受光素子などの光デバイスに対応するほか、高速電子チップのプロセスも担い、光チップと電子チップを同一ラインで製造できる。GaAsラインはVCSELなどのデバイスやRFプロセスを対象とし、光通信製品とRF製品の双方に対応する。生産能力はまだ本格的に立ち上がっていないものの、顧客との協業はすでに始まっている。9月、先導科技集団は傘下の安徽先導極星科技有限公司、武漢光谷量子技術有限公司と共同で、海外大手顧客から次世代シングルモード400G光インターコネクト向け共同開発の先行研究案件を受注し、12件の共同プロジェクトの最終的な量産は先導芯光が担う予定である。武漢光谷量子のInP光チップはすでに100Gおよび200G向けで供給を開始しており、量産には先導芯光のウェハ工場を活用する。同月、先導科技集団は広州慧智微電子股份有限公司と戦略的提携協定を締結し、シングルモード400Gおよびそれ以上の高速電子チップ、衛星通信向けRFフロントエンドチップの共同開発を進める。