9月28日夜、長鑫科技は公告を発表し、超過調達資金の一部を活用して、DRAM技術研究開発プロジェクトとメモリーウェハ後工程テスト拠点第2期プロジェクトの2件に投資する計画を明らかにした。両プロジェクトの総投資額は合計349億元で、このうち超過調達資金180億元を投入する予定である。関連議案は同日開催された同社第2期董事会第6回会議で承認されており、今後、株主総会での審議・承認が必要となる。公告によると、技術研究開発プロジェクトの総投資額は241億元で、このうち超過調達資金130億元を投入する。建設場所は合肥経済技術開発区新橋科技創新モデル区にある長鑫12インチメモリーウェハ製造拠点内で、建設期間は30カ月を予定している。プロジェクト資金は主に装置購入に充てられ、DRAMメモリーチップを対象に、プロセス技術の世代更新、記憶密度の最適化、消費電力および読み書き性能の向上などの研究開発を進める。公告では、同プロジェクトは研究開発プロジェクトであるため投資収益を個別には算定せず、その技術成果を同社の主力DRAM製品に活用するとしている。もう一つはメモリーウェハ後工程テスト拠点第2期プロジェクトで、長鑫科技の完全子会社である長鑫存儲産品（合肥）有限公司が実施主体となる。総投資額は108億元で、同社は増資と融資を組み合わせる形で同子会社に50億元の超過調達資金を提供する予定である。建設場所は合肥市肥西県で、DRAMメモリーチップのテストおよびモジュール組立を行うテスト工場を建設する。建設期間は37カ月を予定しており、資金は主に装置の購入および据付に充てられる。