10月15日付の科技日報によると、中電科電子装備集団（以下「電科装備」）傘下の北京中電科公司が独自開発した初のSiC（炭化ケイ素）デバイスウェハ向け全自動薄化装置がこのほど、中国国内の大手ウェハメーカーに納入され、量産ラインへの導入に成功した。これにより、同社はSiCインゴット、ウェハ、デバイスウェハの全工程をカバーする一連のソリューションを構築した。SiC半導体は高耐圧、高耐熱、高周波・高効率といった優れた特性を持ち、主に新エネルギー車、太陽光発電・蓄電、AIデータセンター、産業・エネルギー、民生用電子機器、5G通信など複数の重要分野で使用されている。現在、新エネルギー車の800V高電圧プラットフォームの普及加速、太陽光発電・蓄電分野の規格高度化、AI計算力向け電源需要の急拡大という三つの成長要因が重なる中、化合物半導体産業は本格的な規模拡大に向けた重要な局面を迎えている。ウェハ薄化は半導体デバイス製造における重要工程の一つで、ウェハ裏面の余分な基材を除去し、後工程のパッケージングに必要な所定の厚さまで薄くするとともに、チップの放熱性能向上にも寄与する。SiCパワー半導体デバイスの製造では、ウェハ裏面の薄化工程はデバイスの熱抵抗、オン損失、量産歩留まりを左右する重要工程の一つである。SiCは硬度が高く研削が難しいため、ウェハ裏面加工ではエッジ欠け、マイクロクラック、さらにはウェハ割れが発生しやすく、薄化装置には高い剛性、スピンドルの振動抑制、ステージの形状制御、プロセスのクローズドループ制御など厳しい性能が求められる。