最近、GlobalFoundriesは米ニューヨーク州マルタに新たに2カ所の半導体製造工場を建設し、総額最大210億米ドルを投資すると発表した。同プロジェクトは日米半導体連携の重要な構成要素で、日本が主な資金支援を行い、GlobalFoundriesが技術導入と工場運営を担当する。2工場は段階的に建設され、第1期では約100億米ドルを投じて最初のウェハ工場を建設し、2029年の稼働開始を予定している。第2工場も同程度の規模となり、すべて完成した場合、年間約180万枚の300mmウェハ生産能力が新たに追加され、約2万7000人の雇用を創出するとしている。同プロジェクトは日米間の貿易・投資協定に基づいて推進され、日本が最大210億米ドルの資金を提供し、GlobalFoundriesは技術提供者および運営事業者として建設・運営を担う。協定の一環として、米商務省はGlobalFoundriesの株式約4％を取得し、総持株比率を約7％に引き上げることで、政府と企業の利害関係をさらに強化する。資料によると、GlobalFoundriesは成熟プロセスおよび特色プロセスに注力しており、シリコンフォトニクス、シリコンゲルマニウム（SiGe）、RF SOIなどを展開している。主に自動車用半導体、通信インフラ、産業制御、エッジAIなどの分野を対象とし、TSMCなど先端プロセスを主力とするメーカーとの差別化を図っている。